化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积tic或tin，是向850~1100℃的反应室通入ticl4，等离子化学气相沉积设备报价，h2，ch4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。
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等离子体增强化学气相沉积（pecvd）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从---上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用pecvd技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：
首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；
其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；
然后，等离子化学气相沉积设备，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（pecvd）工艺研发设备，用来在硅片上沉积siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.---真空度：≤6.67x10-4 pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7pa.l/s； 系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，等离子化学气相沉积设备多少钱，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°c，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56mhz，功率500w，全自动匹配；
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路气体，共计使用7个流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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