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在一阶段，脉冲激光沉积装置厂家，激光束---在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时，靶表面的一切元素会快速受热，到达蒸发温度。物质会从靶中分离出来，而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时熔化率---取决于激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象，例如碰撞、热，与电子的激发、层离，以及流体力学。
在第二阶段，根据气体动力学定律，发射出来的物质有移向基片的倾向，并出现向前散射峰化现象。空间厚度随函数cosnθ而变化，而n>;>;1。激光光斑的面积与等离子的温度，对沉积膜是否均匀有重要的影响。靶与基片的距离是另一个因素，支配熔化物质的角度范围。亦发现，脉冲激光沉积装置价格，将一块障板放近基片会缩小角度范围。
第三阶段是决定薄膜的关键。放出的高能核素碰击基片表面，可能对基片造成各种破坏。高能核素溅射表面的部分原子，而在入射流与受溅射原子之间，建立了一个碰撞区。膜在这个热能区（碰撞区）形成后立即生成，这个区域正好成为凝结粒子的较佳场所。只要凝结率比受溅射粒子的释放率高，热平衡状况便能够快速达到，由---熔化粒子流减弱，膜便能在基片表面生成。
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连续组成扩展(ccs )
常规沉积条件下的组合合成
组合合成是一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(ccs) 方法。pld-ccs 系统能以连续的方式改变材料，没有---使用掩模。可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。
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---真空度：≤6.7×10 pa
恢复真空时间：从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7pa.l/s；
真空室：ф450球型真空室 ，
基片尺寸：可放置4″可实现公转换靶位描等基片加热可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm可调。
二维扫描机械平台，执行两自由度扫描，控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫，
流量控制器1路
烘烤温度：150℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃）
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