该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（pecvd）工艺研发设备，化学气相沉积设备报价，用来在硅片上沉积siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.---真空度：≤6.67x10-4 pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7pa.l/s； 系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°c，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56mhz，化学气相沉积设备，功率500w，全自动匹配；
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路气体，化学气相沉积设备多少钱，共计使用7个流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。
物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。
物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境---，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。
化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好
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原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方，吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击，结合键断裂成为活性粒子，化学反应生成固态膜。沉积时，化学气相沉积设备公司，基体可加热，亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运，气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有：放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可---降低反应温度，已用于多种薄膜材料的制备。
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