直流溅射法：直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧---触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，桌式350型三靶磁控溅射仪供应，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（rf）。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒（对于金属是5-10 ev），从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能（对于金属是1-6ev），桌式350型三靶磁控溅射仪，这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。
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磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提---离子体密度以增加溅射率。
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用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标： ---真空度6.7×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa（短时间暴露 ---并充干燥氮气后开始抽气）
镀膜方式：磁控靶为直靶，向下溅射成膜； 样品基片: 负偏压 -200v
样品转盘：在基片传输线上连续可调可控，在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动，计算机控制其水平传递；
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统，计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，桌式350型三靶磁控溅射仪生产厂家，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位---镀膜。
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