溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常,卧式磁控镀膜机供应,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10pa的气或其它惰性气体,在阴极(靶)1-3kv直流负高压或13.56mhz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
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用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标: ---真空度6.7×10-5pa,系统漏率:1×10-7pal/s; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 pa(短时间暴露 ---并充干燥氮气后开始抽气)
镀膜方式:磁控靶为直靶,向下溅射成膜; 样品基片: 负偏压 -200v
样品转盘:在基片传输线上连续可调可控,在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动,计算机控制其水平传递;
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统,计算机控制系统的功能:对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集,对位移误差进行计算,以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换,可实现换位---镀膜。
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1. 溅射室---真空度:≤6.6×10-6 pa
2. 系统真空检漏漏率:≤5.0×10-7pa.l/s
3. 系统从---开始抽气:溅射室30分钟可达到6.6×10-4 pa;
4. 系统停泵关机12小时后真空度:≤5pa
5. 溅射真空室1套,立式上开盖结构,尺寸不小于ф300mm×300mm,全不锈钢结构,弧焊接,表面进行电化学抛光,内含防污内衬,可内烘烤到100~150℃,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封,腔体内有照明系统
6. 磁控溅射系统 3套,磁控镀膜机供应, 提供3块测试靶材。镀膜不均匀度≤5%
7. 旋转基片台 1套,样品台可放置不小于100mm样品1片,具有连续旋转功能,旋转0—30转/分连续可调。基片加热温度:室温—500°c连续可调,由热电偶闭环反馈控制,加热电源配备控温表,控温方式为pid自动控温及数字显示
8. 观察窗口及法兰接口部件 1套
9. 工作气路1套,包含:100sccm、20sccm流量控制器、cf16截止阀、管路、接头等共2路; dn16充气阀、管路、接头等2路;
10. 抽气机组及阀门、管道 1套,包含1台进口复合分子泵及变频控制电源(680l/s ,ck300磁控镀膜机供应,德国普发hipace700分子泵);1台机械泵(4l/s) ,1台dn40气动截止阀,机械泵与真空室之间的旁抽管路1套,cc150气动闸板阀1台(用于复合分子泵与真空室隔离),vct500磁控镀膜机供应,节流阀1台,dn40旁抽气阀1台,压差式充气阀1台;管道采用不锈钢三通及波纹管,
11. 安装机台架组件 1套,由方钢型材焊接成,快卸围板表面喷塑处理,机台表面用不锈钢蒙皮装饰,四只脚轮,可固定,可移动。
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