主要用途:
用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,批量生产型。
系统组成:
系统主要由蒸发真空室、e型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、计算机系统及安装机台等部分组成。
技术指标:
---真空度:≤6.7×10 pa 恢复真空时间:从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系统漏率:6. 7×10-7pa.l/s;
真空室:真空室1200x9000 x800mm采用u型箱体前开门,后置抽气系统
e型电子枪:阳极电压:10kv(2套) 坩埚:水冷式坩埚,24穴设计,每个容量11ml
功率:0-10kw可调 电阻蒸发源(可选)
基片尺寸:可放置4″基片一次更换20个样品
样品台:基片可连续回转,转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离350mm加热温度 400°c±1°c
气路系统:流量控制器1路
石英晶振膜厚控制仪:监测膜厚显---围:0-99μ9999?
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采用了真空密封技术,高真空电子束镀膜机,---真空度高,蒸发室可进入10-5pa量级(≤5×10-5pa电子枪静止状态),可---更高的镀膜纯净度,提高镀膜。
真空密封主要采用如下技术:玻璃金属焊接技术、陶瓷金属焊接技术、刀口无氧铜金属密封技术等,整机主要采用金属密封技术,高真空电子束镀膜机价格,前开门用氟胶圈,真空管路用不锈钢金属波纹管路(不用橡胶管路),采用高真空阀门。
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电子束蒸镀是利用加速电子轰击镀膜材料,高真空电子束镀膜机,电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发,并成膜。电子枪有直射式、环型和e型之分。电子束加热蒸镀的特点是能获得---的能量密度,可达109w/cm2,加热温度可达3000~6000℃,可以蒸发难熔金属或化合物;被蒸发材料置于水冷的坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜;另外,由于蒸发物加热面积小,高真空电子束镀膜机公司,因而热辐射损失减少,热效率较高。但结构较复杂,且对较多的化合物,由于电子的轰击有可能分解,故不适合多数化合物的蒸镀。
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