溅射就是从靶表面撞击出原子物质的过程。溅射产生的原子或分子沉积到基体(零件)表面的过程就是溅射镀膜。
溅射镀膜与真空镀膜相比,有如下特点:
1.任何物质都可以溅射, 尤其是高熔点金属、低蒸气压元素和化合物;
2.溅射薄膜与衬底的附着性好;
3.溅射镀膜的密度高,孔少,膜层纯度高;
4.膜层厚度可控性和重复性好。
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主要用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
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磁控溅射的工作原理是指电子在电场e的作用下,在飞向基片过程中与原子发生碰撞,使其电离产生出ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,ck350磁控溅射镀膜机供应,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生e(电场)×b(磁场)所指的方向漂移,简称e×b漂移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,ck350磁控溅射镀膜机价格,并在电场e的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,ck350磁控溅射镀膜机,致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
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